74AUP1G885在单一器件内提供两种函数。输出（1Y、2Y）的输出状态由输入（A、B和C）确定。输出1Y提供布尔函数： 1Y = A × C。输出2Y提供布尔函数：2Y = A × B + A × C。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• PHPT610035PK - PNP/PNP matched high power double bipolar transistor
• PZU18BL - 单倍齐纳二极管
• 74LVC1G74DC - 带设置和复位功能的单频D型触发器；正沿触发器
• 74LVT162245B - 3.3 V LVT 16位收发器，具有30 Ohm端接电阻（3态）
• BZX84J-B8V2 - 单倍齐纳二极管
• BUK9635-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PZU10B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PZU3.6B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74HCT1G08GV - 2输入与门
• BZX84J-C68 - 单倍齐纳二极管