
BLF7G10LS-250技术文档下载:
BLF7G10LS-250产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- PCA9500PW,118 - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
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- 74LVC244ADB,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MW5IC970GNBR1 - 射频和无线 > 射频放大器
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- 74LVC00APW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MPC8545EPXATGB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74HC365DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- LPC802M001JDH20FP - 嵌入式 - 微控制器
- 74HC73D,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- PSMN013-30LL,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MMPF0200F4AEPR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 特殊用途稳压器
- 74HC04N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- MC68030RC20C - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MC908JB16FAE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLF7G10LS-250 - 功率LDMOS晶体管
BLF7G10LS-250是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF7G10LS-250是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLF7G10LS-250的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF7G10LS-250相关的NXP元器件型号供参考。
BLF7G10LS-250 - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
250 W LDMOS功率晶体管,适用于920 MHz至960 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 极佳的强度
- 高效率
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 主要用于宽带操作(869 MHz至960 MHz)
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 主要用于降低记忆效应以提供极佳预失真能力
- 内部匹配以方便使用
- 集成ESD保护
- 符合有害物质限制(RoHS) Directive 2002/95/EC
产品应用
- W-CDMA基站RF功率放大器
- 869 MHz 至960 MHz频率范围内的多载波应用
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