74AXP1G58是带施密特触发输入的可配置多功能门。该器件可配置为任何以下逻辑功能：AND、OR、NAND、NOR、反相器和缓冲器。所有输入都可直接连接到VCC或GND。该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（宽范围：0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-12A.01（正常范围：1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• PMCM6501VNE - 12 V, N-channel Trench MOSFET
• PDTC143ZU - NPN配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BZX84-B5V1 - 稳压器二极管
• PMZB600UNE - 20 V，N沟道Trench MOSFET
• PZU4.7B3 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PMEG3010EB - 1 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• 74LVC373AD - 八进制D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• BUK7E1R9-40E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• TFF11105HN - 低相位噪声本振发生器
• CBT3253AD - 双路4选1 FET多路复用器/解复用器