74AXP1G58是带施密特触发输入的可配置多功能门。该器件可配置为任何以下逻辑功能：AND、OR、NAND、NOR、反相器和缓冲器。所有输入都可直接连接到VCC或GND。该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（宽范围：0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-12A.01（正常范围：1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

• PMP4501Y - NPN/NPN匹配双晶体管
• PZU10B1A - 单倍齐纳二极管
• CBT16212DGG - 24位总线交换开关，具有12位输出使能
• 74HC3G34DP - 三路缓冲器门
• 2PD601ASW - NPN通用晶体管；50 V，100 mA
• PCF8538UG - 通用102 x 9覆晶玻璃LCD段码驱动器
• PDTA144W series - PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 22 kOhm
• BF861C - N沟道FET
• BZB84-C18 - 双倍齐纳二极管
• 74AUP1T97GW - 低功耗可配置门，带电压电平转换器