74CBTLV3253提供带两个通用选择输入（S0、S1）和两个输出使能输入（1OE、2OE）的双路4选1高速多路复用器/解复用器。开关的低导通电阻允许输入连接到输出而不增加传播延迟或产生额外的地弹噪声。针脚nOE 为低电平时，四个开关的其中之一通过针脚S0和S1进行选择（低阻抗导通状态）。针脚nOE 为高电平时，所有开关都处于高阻抗关断状态，而无论针脚S0和S1如何。

为确保上电或掉电期间的高阻抗关断状态，nOE应当通过上拉电阻连接到VCC。电阻的最小值由驱动器灌入电流的能力确定。

控制输入处的施密特触发器动作使该电路能容许整个2.3 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 2.3 V至3.6 V的电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
• 两个端口之间的5 Ω开关连接
• 数据I/O端口上的轨到轨切换
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA，符合JESD78B I类A级标准
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 ℃至+85 ℃和-40 ℃至+125 ℃

• PESD5V0F1BRLD - 毫微微法拉级(Femtofarad)双向ESD保护二极管
• PESD5Z12 - 低电容单向ESD保护二极管
• PMPB20EN - 30 V N沟道Trench MOSFET
• BZB84-C15 - 双倍齐纳二极管
• HEF4043BT - 四路R/S锁存器，具有3态输出
• BZX84J-B33 - 单倍齐纳二极管
• BGU7003 - 宽带硅锗低噪声放大器MMIC
• PZU10DB2 - 双倍齐纳二极管
• PESD3V3S5UD - 五倍ESD保护二极管阵列
• 74LVC1G332GS - 单路3输入或门