
BLF8G24LS-200PN技术文档下载:
BLF8G24LS-200PN产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- CBT16212DGG,118 - 未分类 > 未分类
- PHPT60410NYX - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
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- MF3MOD8101DA4/05,1 - 射频和无线 > RFID,射频接入,监控 IC
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BLF8G24LS-200PN - LDMOS功率晶体管
BLF8G24LS-200PN是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF8G24LS-200PN是LDMOS功率晶体管,本站介绍了BLF8G24LS-200PN的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF8G24LS-200PN相关的NXP元器件型号供参考。
BLF8G24LS-200PN - LDMOS功率晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
200 W LDMOS功率晶体管,适用于2300 MHz至2400 MHz频率范围的基站应用。
产品特性和优势
- 出色的耐用性
- 高效
- 低Rth提供极佳的热稳定性
- 专为宽带应用设计(2300 MHz至2400 MHz)
- 更低的输出电容提升了Doherty应用的性能
- 专为低内存占用量设计,提供极佳的预失真性能
- 内部匹配,便于使用
- 集成ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- RF功率放大器,适合于2300 MHz至2400 MHz频率范围内的基站和多载波应用
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