
BLP8G10S-45P技术文档下载:
BLP8G10S-45P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
- S912ZVMAL1F0MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HCT08D,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- 1N4731A,113 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- S912XET256W1MAG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PZU7.5B3A,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- LPC1102LVUKZ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PEMI8QFN/CG,132 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- 74LVC1G32GM,115 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- BZX79-C68,113 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- PEMI1QFN/LT,315 - 滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
- S9S08SL16F1CTJ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MKE02Z32VLD4R - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8569CVTAQLJB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74ABT273APW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- TDA1596T/V3,512 - 射频和无线 > RF 其它 IC 和模块
- 74LVCH162373ADGG:5 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
- MC68331CFC25B1 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PHD21N06LT,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- MCIMX6U5EVM10AB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LS1043ASN8PQB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器



BLP8G10S-45P - 功率LDMOS晶体管
BLP8G10S-45P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLP8G10S-45P是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLP8G10S-45P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLP8G10S-45P相关的NXP元器件型号供参考。
BLP8G10S-45P - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
BLP8G10S-45P和BLP8G10S-45PG是双路径45 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz 至1000 MHz频率的基站应用。
产品特性和优势
- 高效率
- 出色的耐用性
- 设计用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 极佳的热稳定性
- 高功率增益
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- W-CDMA
- LTE
- GSM
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