
BLP8G10S-45P技术文档下载:
BLP8G10S-45P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- P5020NSN7QMB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LD6805K/18P,115 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
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- KMPC875VR66 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- LPC2106FBD48/01,15 - 嵌入式 - 微控制器
- SPC5645SF1VVU - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- QN9090THN/001K - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- S9S12G96F0MLHR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MFS8622BMDA0ESR2 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- S9S08RN16W2MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TDA18212HN/M/C1,55 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理
- PSMN7R0-100XS,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



BLP8G10S-45P - 功率LDMOS晶体管
BLP8G10S-45P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLP8G10S-45P是功率LDMOS晶体管,本站介绍了BLP8G10S-45P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLP8G10S-45P相关的NXP元器件型号供参考。
BLP8G10S-45P - 功率LDMOS晶体管 - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
BLP8G10S-45P和BLP8G10S-45PG是双路径45 W LDMOS功率晶体管,适合700 MHz 至1000 MHz频率的基站应用。
产品特性和优势
- 高效率
- 出色的耐用性
- 设计用于宽带操作(700 MHz至1000 MHz)
- 极佳的热稳定性
- 高功率增益
- 集成式ESD保护
- 符合欧盟2002/95/EC危害性物质限制(RoHS)指令
产品应用
- W-CDMA
- LTE
- GSM
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