


- N74F821D,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- MRFE6VP6300-88 - 射频评估和开发套件,开发板
- LPC4367JBD208E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MK51DX256CLL7 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- TWR-S12G128-KIT - 评估板 - 嵌入式 - MCU,DSP
- MC10XS4200BAFK - 电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
- MC68HC16Z1MEH16 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MIMX8MM3CVTKZAA - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- S9S08AW32E7VFGER - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCA9514AD,112 - 集成电路(IC) > 接口 > 信号缓冲器、中继器、分离器
- MPXD2020VVU125 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S9S12P128J0MLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC34PF1550A2EPR2 - 电源管理IC - 电源管理 - 专用型
- S912ZVL64F0MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC33911G5ACR2 - 电源管理IC - 电源管理 - 专用型
- MC68332GVEH20 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PCAL9714HN/Q900MP - 集成电路(IC) > 接口 > I/O 扩展器
- LD6806TD/18P,125 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
- MRFX1K80N-88MHZ - 射频评估和开发套件,开发板
- BZX284-B47,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管



PCA9512A; PCA9512B - 电平切换可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器
PCA9512A; PCA9512B是NXP恩智浦公司的一款I2C总线中继器/集线器/扩展器产品,PCA9512A; PCA9512B是电平切换可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器,本站介绍了PCA9512A; PCA9512B的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PCA9512A; PCA9512B相关的NXP元器件型号供参考。
PCA9512A; PCA9512B - 电平切换可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器 - I2C总线中继器/集线器/扩展器 - I2C - 恩智浦
PCA9512A/B是一款热交换I2C总线和SMBus缓冲器,允许将I/O卡插入带电背板而不会损坏数据和时钟总线并附带两个专用供电电压引脚以在保持每个电压电平最佳噪音容限的同时提供3.3 V和5 V系统之间的电平切换。任一引脚均可以2.7 V至5.5 V的供电电压供电,不限制哪个供电电压更高。控制电路会防止背板连接到卡上,直至背板上出现停止位或总线闲置且卡上没有总线冲突。当连接建立时,PCA9512A/B提供双向缓冲,保持背板和卡电容隔离。
如果VCC和VCC2同时上升,则可使用PCA9512A或PCA9512B ,但如果VCC和VCC2上升之间的间隔不同,则只应使用PCA9512B。
PCA9512A/B上升时间加速器电路允许使用更弱的DC上拉电流,同时仍满足上升时间要求。PCA9512A/B采用了一个数字输入引脚,能启用和禁用全部四个SDAn和SCLn引脚上的上升时间加速器。
插入过程中,PCA9512A/B的SDAn和SCLn引脚预充电至1 V,以最大程度减少芯片寄生电容充电所需的电流。
PCA9510A/11A/12A/12B/13A/14A I/O驱动器的递增偏移设计允许其串联或并联另一PCA9510A/11A/12A/12B/13A/14A器件以及静态偏移总线缓冲器的I2C兼容侧,但无法连接至那些总线缓冲器的静态偏移侧。
- SDA和SCL线路的双向缓冲器会增加扇出并防止在多点背板系统中进行带电板卡插入和拔出时发生SDA和SCL恶化。
- 兼容I2C总线标准模式、I2C总线快速模式和SMBus标准
- 所有SDA和SCL线路(阈值为0.6 V)上的内置ΔV/Δt上升时间加速器在轻负载系统中都能够通过的ACC引脚禁用ΔV/Δt上升时间加速器,并要求总线上拉电压和相应的供电电压(VCC或VCC2)相同。
- 带有最佳噪音容限的5 V至3.3 V电平变换
- VCC或VCC2 = 0 V时SDAn和SCLn引脚为高阻抗
- 所有SDAn和SCLn引脚上有1 V预充电
- 支持时钟展宽以及多主器件仲裁和同步
- 工作电源电压范围:2.7 V至5.5 V
- 0 Hz至400 kHz时钟频率
- ESD保护:按JESD22-A114超过2000 V HBM,按JESD22-A115超过200 V MM,按JESD22-C101超过1000 V CDM
- 已按照JEDEC标准JESD78完成闭锁测试,超过100 mA
- 提供封装:SO8、TSSOP8 (MSOP8)
- 需要插入或从操作系统拔出的cPCI、VME、AdvancedTCA卡及其他多点背板卡
- BZV49-C39 - 稳压器二极管
- CLF1G0035S-100 - 宽带RF功率GaN HEMT
- 74AUP2G06 - 低功耗双路反相器,带开漏输出
- 74HCT3G16GD - 三路缓冲器门
- 74AUP2G241 - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器;3态
- PESD24VU1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
- PTVS7V0P1UP - 600 W瞬态电压抑制器
- BAT54CV - 两个双倍肖特基势垒二极管
- PMP5201G - PNP/PNP匹配双晶体管
- BUK769R6-80E - N沟道TrenchMOS标准电平FET



