74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• BZV85-C18 - 稳压器二极管
• NPIC6C596 - 功率逻辑8位移位寄存器；开漏输出
• 74AUP2G34GM - 低功耗双路缓冲器
• HTMS8001FUG - HITAG μ (ISO14223)和(ISO11784/85)应答器IC
• BUK754R0-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HCT4852D - 双路4通道模拟多路复用器/解复用器，具有注流效应控制功能
• BB171 - VHF变容二极管
• PSMN9R5-30YLC - N沟道30 V 9.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• 74AHC30GU12 - 8-input NAND gate
• 74HCT2G00DP - 双路2输入与非门