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PBHV2160Z产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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PBHV2160Z - 600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
PBHV2160Z是NXP恩智浦公司的一款高压低VCEsat(BISS)晶体管产品,PBHV2160Z是600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor,本站介绍了PBHV2160Z的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PBHV2160Z相关的NXP元器件型号供参考。
PBHV2160Z - 600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor - 高压低VCEsat(BISS)晶体管 - 低VCEsat(BISS)晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBHV3160Z
产品特性和优势
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability
- High collector current gain hFE at high IC
产品应用
- Electronic ballast for fluorecent lighting
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