74AUP1G157是单路2输入多路复用器，其在公共数据选择输入(S)的控制下从两个数据输入（I0和I1）选择数据。一般数据选择输入的状态可确定数据来自哪个特定的寄存器。输出(Y)以真正（非反相）形式呈现所选数据。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BGU7044 - 1 GHz宽带低噪声放大器
• KMA215 - 可编程角度传感器（带SAE J2716 SENT）
• P5CD080A6 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• TJA1028 - 集成电压调节器的LIN收发器
• BAT46WJ - 单倍肖特基势垒二极管
• BLF8G22LS-200(G)V - 功率LDMOS晶体管
• BUK7214-75B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74LV04D - 六位元反相器
• BZT52H-C7V5 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PZT2222A - NPN开关晶体管