74ALVC16835A是18位寄存驱动器。数据流由低电平有效输出使能(OE)、低电平有效锁存使能(LE)和时钟输入(CP)进行控制。

LE为低电平时，A到Y的数据流是透明的。LE为高电平且CP保持在低电平或高电平时，数据会被锁存；只要CP从低电平瞬变至高电平，A数据就会被存储在锁存器/触发器中。

OE为低电平时，输出处于激活状态。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器/触发器的状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗状态，OE应当通过上拉电阻连接到VCC；最低电阻值由驱动器灌入电流的能力确定。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准no. 8-1A
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 3.0 V时电流驱动± 24 mA
• MULTIBYTE?直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感VCC和GND针脚，可实现最低噪声和地弹
• 85?°C时输出驱动能力为50 Ω的传输线路
• 可配合强大驱动器的输入二极管

• 74LVT16374AEV - 3.3 V 16位边沿触发D型触发器（三态）
• PTVS26VU1UPA - 300 W瞬态电压抑制器
• PCA9542APW - 2通道I2C总线多路复用器和中断逻辑
• PSMN020-30MLC - N沟道30 V 18.1 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用TrenchMOS技术
• BZV49 series - 稳压器二极管
• 74AVC1T45GM - 双电源电压电平转换器/收发器；3态
• PMEG2010AET - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74AUP1T57GW - 低功耗可配置门，带电压电平转换器
• PESD5V0S1UJ - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
• NX5P2553GV - Precision adjustable current-limited power switch