74ALVC16835A是18位寄存驱动器。数据流由低电平有效输出使能(OE)、低电平有效锁存使能(LE)和时钟输入(CP)进行控制。

LE为低电平时，A到Y的数据流是透明的。LE为高电平且CP保持在低电平或高电平时，数据会被锁存；只要CP从低电平瞬变至高电平，A数据就会被存储在锁存器/触发器中。

OE为低电平时，输出处于激活状态。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器/触发器的状态。

为确保上电或掉电期间的高阻抗状态，OE应当通过上拉电阻连接到VCC；最低电阻值由驱动器灌入电流的能力确定。

• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 符合JEDEC标准no. 8-1A
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 3.0 V时电流驱动± 24 mA
• MULTIBYTE?直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感VCC和GND针脚，可实现最低噪声和地弹
• 85?°C时输出驱动能力为50 Ω的传输线路
• 可配合强大驱动器的输入二极管

• 74AUP1Z125GS - 低功耗晶体驱动器，带使能和内部晶体管；3态
• PHB66NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• PDTA143XU - PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 10 kΩ
• NZH5V1B - 单倍齐纳二极管
• PZU12B1 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PMBFJ110 - N沟道FET
• PZU6.8B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• NZX3V3A - 单倍齐纳二极管
• 74LVC14ABQ - 十六进制反相施密特触发器，带5 V容压输入
• 74AVC20T245 - 20位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态