低电容单向五倍静电放电(ESD)保护二极管阵列采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装，保护最多5条单向信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。

• 最多5条线路的ESD保护
• 超低漏电流：IRM = 5 nA
• 低二极管电容
• 高达20 kV的ESD保护
• 最大峰值脉冲功率：PPP = 25 W
• IEC 61000-4-2四级(ESD)
• 低钳位电压：VCL = 12 V
• IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 2.5 A
• 符合AEC-Q101标准

• 计算机和外设
• 通信系统
• 音频和视频设备
• 便携式电子设备
• 手机和附件
• 用户身份识别模块(SIM)卡保护

• PESD5V0S2UQ - 采用SOT663封装的双ESD保护二极管
• PZU18B1A - 单倍齐纳二极管
• PTN3460IBS - eDP to LVDS bridge for industrial and embedded applications
• HEF4050B - 六位元反相缓冲器
• 74LVT16240ADL - 3.3 V LVT 16位反相缓冲器/驱动器（3态）
• 74LVC1G123GD - 单可再触发单稳态多谐振荡器；施密特触发器输入
• ASC8850AET - 高级1080p/35 fps (73 Mpx/s)高端H.264处理器
• BF545C - N沟道FET
• BSR43 - 80 V，1 A NPN中等功率晶体管
• 74HC4066BQ - 四路单刀单掷模拟开关