74LVC3G17提供三个带施密特触发器输入的非反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC3G17用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器

• NZX24C - 单倍齐纳二极管
• PTVS33VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• 74ABT16244ADL - 16位缓冲器/线路驱动器；3态
• BZX79-C3V0 - 稳压器二极管
• PESD36VS1UJ - Unidirectional ESD protection diode
• SL3S1014FUD - UCODE 7xm and UCODE 7xm+
• PESD12VU1UT - 采用SOT23封装的超低电容ESD保护二极管
• BLL8H1214L-250 - LDMOS L-band radar power transistor
• PBSS5360Z - 60 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PSMN3R0-30MLC - N沟道30 V 3.15m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术