74AUP1G386提供一个3输入异或门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G34GW - 低功耗缓冲器
• PMDPB55XP - 20 V，双P沟道Trench MOSFET
• PMBFJ112 - N沟道FET
• NTSX2102GD - 双电源转换收发器；开漏；自动方向感应
• 74HC(T)1G126 - 总线缓冲器/线路驱动器；3态
• PMEG4005CT - 500 mA低V_F双MEGA肖特基势垒整流二极管
• 74HC244D - 八进制缓冲器/线路驱动器；3态
• BUK9K25-40E - 双N沟道40 V，29 mΩ逻辑电平MOSFET
• PBSS8110T - 100 V、1 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• BC856W - PNP通用晶体管