74AUP1G386提供一个3输入异或门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 uA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• TFF1013HN - 适用于卫星LNB的集成式混频器振荡器PLL
• P5CN145UA - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• 74HC366D - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• 74AHCT374PW - 八频D型触发器；正沿触发器（三态）
• BUK755R2-40B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74LVC(H)16373A - 16位D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• 74AUP2G17GF - 低功耗双路施密特触发器
• 74LVC2G04GF - 双频逆变器
• NVT2008PW - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• MMBZ12VDL - 用于瞬态过压抑制的双ESD保护二极管