HEF4794B是8级串行移位寄存器。其具有与每一级都相关的存储锁存器，将数据从串行输入(D)选通到并行LED驱动器输出（QP0至QP7）。数据在时钟(CP)正向跃迁时移位。选通(STR)输入为高电平时，每个移位寄存器级中的数据都会被传输到存储寄存器。只要输出使能输入(OE)信号为高电平，存储寄存器中的数据就会出现在输出处。

两个串行输出（QS1和QS2）可用于级联各种HEF4794B器件。时钟正边沿上的QS1提供串行数据，在具有快速时钟上升时间的级联系统中可实现高速操作。下一个时钟负边沿上的QS2提供同一串行数据。时钟具有缓慢上升时间时，这用于级联HEF4794B器件。

其工作电压为建议的3 V至15 V的VDD电源电压，以VSS（通常为地）为参考。未使用的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数额定值
• 标准化对称输出特性
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• PBSS5160U - 60 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PMDT670UPE - 20 V，550 mA双P沟道Trench MOSFET
• CBT3257ADS - 四路2选1多路复用器/解复用器
• MFRC63102HN - 高性能ISO/IEC 14443 A/B读卡器解决方案
• PCAL9554B; PCAL9554C - 带有中断、弱上拉和灵活I/O的低电压8位I2C总线/SMBus低功率I/O端口
• PDTC114Y series - NPN配电阻晶体管；R1 = 10 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BLP7G22-05 - LDMOS驱动器晶体管
• BZB84-B3V3 - 双倍齐纳二极管
• PMBT3946VPN - 40 V，200 mA NPN/PNP开关晶体管
• PDTA114E series - PNP配电阻晶体管；R1 = 10 k?；R2 = 10 k?