74LVC1G99提供一个带3态输出的低电压超可配置多功能门。该器件可配置为多个逻辑功能之一，包括：AND、OR、NAND、NOR、XOR、XNOR、反相器、缓冲器和MUX。配置该器件无需外部元器件，因为所有输入都可直接连接到VCC或GND。3态输出通过输出使能输入(OE)控制。OE处的高电平会使输出(Y)呈高阻抗关断状态。OE是低电平时，输出状态由施加到施密特触发器输入（A、B、C和D）的信号确定。

由于使用施密特触发器输入，该器件能够耐受缓慢变化的输入信号，将其转变为清晰、无抖动的输出信号。通过消除到VCC和GND的漏电流路径，输入和已禁用的输出也为过压容限，从而该器件适合混合电压应用。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

74LVC1G99完全针对1.65 V至5.5 V的电源电压范围设计。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• BZT52H-B22 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• PHK5NQ15T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74LVC1G11GS - 单路3输入与门
• PBSS4420D - 20 V、4 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• 74HC1G66GV - 单刀单掷模拟开关
• BFU530X - NPN宽带硅RF晶体管
• 74AXP1G10 - 低功耗3输入与非门
• PTVS45VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• PUMB30 - PNP/PNP配电阻双晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• PESD5V0X1UAB - 超低电容单向ESD保护二极管