74LVC3G14提供三个带施密特触发器输入的反相缓冲器。该器件能够将缓慢变化的输入信号转换成清晰无抖动的输出信号。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 无限上升和下降时间
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• 适用于高噪声环境的波形和脉冲整形器
• 非稳态多谐振荡器
• 单稳态多谐振荡器

• PZU24B2 - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• PBSS304NX - 60 V、4.7 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
• PSMN2R2-25YLC - N沟道25 V 2.4 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• UDA1330ATS - 低成本立体声滤波器DAC
• PBSS302PZ - 20 V、5.5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PUMX1 - 40 V，100 mA NPN/NPN通用晶体管
• PHB45NQ15T - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74HCT175D - 四路D型触发器，带复位功能；正边沿触发
• PMV75UP - 20 V，P沟道Trench MOSFET
• PBSS4330PAS - 30 V、3 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管