74LVC1G79提供单正沿触发D型触发器。

有关数据输入的信息会在时钟脉冲从低电平跃迁到高电平时传送到Q输出。D输入在时钟从低电平跃迁到高电平以便进行可预测操作之前必须稳定。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

该器件完全适合使用IOFF的部分断电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闩锁性能超过250 mA
• 带TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C。

• PZU3.3B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• 74HCT109DB - 带设置和复位功能的双频JK触发器；正沿触发器
• BZB84-B8V2 - 双倍齐纳二极管
• CBTL04083BBS - 适用于PCI Express Gen3的3.3 V、4差分通道、2 : 1多路复用器/多路解复用器开关
• PTVS12VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• BAT160C - 双倍肖特基势垒二极管
• PESD3V3L5UK - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列的Basic_type_numbers：PESD3V3L5UK、PESD5V0L5UK
• BLF10M6(LS)200 - 功率LDMOS晶体管
• PESDxS5UD series - 五倍ESD保护二极管阵列
• PMBD6050 - 高速二极管