

- MRFE6S9060GNR1 - 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- UBA2032T/N2,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 全半桥驱动器
- BUK9623-75A,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- TJA1103BHN/0J - 集成电路(IC) > 接口 > 驱动器,接收器,收发器
- MRF8P20140WHSR5 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- LPC4337JET256Y - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVCH16244ABQ,518 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- BFT93W,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极射频晶体管
- BF1105R,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- BZA462A,115 - 电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- MCHC908QT4CDWE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- P89LPC913FDH,129 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC860DPCVR50D4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- 74LVC1G125GW/DG,12 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- 74HCT646DB,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- TDA9887T/V4,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 视频处理
- S912ZVL64F0VFM - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- T2081NXE8P1B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PNEV7462BM - 开发板,套件,编程器 > 评估板 > 射频评估和开发套件,板
- 74HCT238N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器



PCA24S08AD - 带有访问保护的1024 x 8位CMOS EEPROM
PCA24S08AD是NXP恩智浦公司的一款I²C串行EEPROM/RAM产品,PCA24S08AD是带有访问保护的1024 x 8位CMOS EEPROM,本站介绍了PCA24S08AD的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PCA24S08AD相关的NXP元器件型号供参考。
PCA24S08AD - 带有访问保护的1024 x 8位CMOS EEPROM - I²C串行EEPROM/RAM - I²C - 恩智浦
PCA24S08A提供8192位串行电可擦可编程只读存储器(EEPROM),分为1024字,每个字有8位。通过串行I2C总线接收和发送数据字节。
通过I2C总线设置限制读写的存取权限,以防存储区被非法存取。
PCA24S08A是与标准24C08串行EEPROM器件的引脚兼容而设计的,除了作为其地址引脚的引脚1、2和3以外。PCA24S08A串行EEPROM数据表中的其他例外,在第6.6节中叙述。
按与24C08串行EEPROM一致的方式,从最高有效位开始将所有数位发送至器件或从器件读取。本文中的位字段相应地在左侧列为MSB而右侧列为LSB。
EEPROM存储器分为8个区,每个区1 kbit(128字节)。每个区内,存储器物理上组织为8页,每页128位(16字节)。除这些8 kbits外,还有两个用于储存存取保护和ID信息的128位页面。PCA24S08A中提供的EEPROM存储器共有8448位。
在区1至区7上以区为基础而在区0上以页面和区为基础组织存取保护(读取和写入)。这些区和页面的保护信息储存在EEPROM存储器的其中一个额外页面上,与主要数据存储阵列分开寻址。更多详情,请参阅第6.4节。
ID值位于EEPROM的ID页面,即另一个额外的16字节页面上。
根据总线主器件遵守的协议,从串行接口写入可一次包括1字节至16字节。所有页面访问必须正确对应内部EEPROM页面。
EEPROM存储器提供每字节100,000个写入周期的使用寿命,数据可保留10年。写入EEPROM需要不足5 ms即可完成。
制造后,所有EEPROM位均会设为值“1”。
- 组织为8块分别为128字节的8 kbits非易失性存储器
- I2C总线接口逻辑
- 兼容24C08串行EEPROM,以及不带RF接口的Atmel AT24RF08C的备用源
- 写入操作:
- 字节写入模式
- 16字节页面写入模式
- 读取操作:
- 连续读取
- 随机读取
- 可编程访问保护以限制读取和写入
- 锁定/解锁功能
- 写保护功能可防止对已满存储器阵列进行写入操作
- 自定时写入周期
- 内部上电复位
- 高可靠性:
- 十年非易失性数据保留时间
- 承受100,000个写入周期
- 低功率CMOS技术
- 2.5 V至3.6 V的工作电源电压范围
- 0 Hz至400 kHz时钟频率
- ESD保护:按JESD22-A114超过2000 V HBM,按JESD22-A115超过200 V MM,按JESD22-C101超过1000 V CDM
- 已按照JEDEC标准JESD78完成闭锁测试,超过100 mA
- 提供封装:SO8、TSSOP8
- BLF183XR(S) - LDMOS功率晶体管
- 74HCT373BQ - 八进制D型透明锁存器;3态
- 74HCT154DB - 4至16线路解码器/解复用器
- 74LVC2T45GT - 双电源转换收发器;3态
- PZU14B2A - 单倍齐纳二极管
- PCA8574ATS - 带有中断的I2C总线远程8位I/O扩展器
- BCX56-16 - 60 V,1 A NPN中等功率晶体管
- 74AUP2G00GS - 低功耗双路2输入与非门
- 74AUP1G0832GN - 低功耗3输入与或门
- BUK754R0-55B - N沟道TrenchMOS标准电平FET



