NX3DV42是双刀双掷模拟开关，适合用作模拟或数字多路复用器/解复用器。NX3DV42的宽带宽和低位间偏斜使其传输的高速差分信号具有良好的信号完整性。其高通道间串扰抑制可使噪声干扰最小。频带宽度足以传输高速USB 2.0差分信号(480 Mb/s)。其由两个开关组成，每个开关都具有两个独立的输入/输出（HSDn+和HSDn-）和一个公共输入/输出（D+或D-）。一个数字输入用来选择开关位置。针脚OE为高电平时，开关关闭。选择输入(S)和使能输入(OE)处的施密特触发器动作使电路容许整个3.0 V至4.3 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

• 3.0 V至4.3 V的电源电压范围
• 4 Ω典型导通电阻
• 7.3 pF典型导通电容
• 950 MHz典型带宽或数据频率
• 240 MHz时-30 dB的低串扰
• 先断后通式开关
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过4000 V
  • CDM AEC-Q100-011修订版B超过1000 V
  • HBM超过12000 V，实现电源接地保护
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类A级标准
• 额定温度范围为-40 °C至+125 °C

• 手机、PDA、数码相机和笔记本
• 液晶显示器、电视和机顶盒

• PTVS40VP1UTP - 高温600 W瞬态电压抑制器
• 74ABT20PW - 双路4输入与非门
• BCW69; BCW70 - PNP通用晶体管
• 74HCT2G125DP - 双路缓冲器/线路驱动器；3态
• 74ALVC373 - 八进制D型透明锁存器；3态
• NZX16A - 单倍齐纳二极管
• TEF6624T - 恩智浦低中频模拟汽车无线电
• XC7SET86GV - 2输入异或门
• PSMN012-80PS - N沟道80 V 11 m?标准电平MOSFET
• PMEG060V050EPD - 60 V, 5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier