74AUP1G04提供单路反相缓冲器。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD 78B II类 ，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PDZ5.1B - 稳压器二极管
• BZV85-C11 - 稳压器二极管
• 74HC109DB - 带设置和复位功能的双频JK触发器；正沿触发器
• 74AVCH8T245 - 8位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• PTVSxP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• 74LVC2G06GV - 反相器，带开漏输出
• BUK9Y15-100E - N沟道100 V，15 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
• PESD5V0V1USF - 极低电容单向ESD保护二极管
• 74LVC1G384GX - NXP芯片
• BUK7Y15-60E - N-channel 60 V, 15 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56