74LVC1G10提供一个低功耗、低电压的单路3输入与非门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PMCM440VNE - 12 V, N-channel Trench MOSFET
• MF1SEP1031DA8 - Secure contactless smart card IC for seamless migration
• BCP56-16 - 80 V，1 A NPN中等功率晶体管
• 74CBTLVD3861PW - 10位电平转换总线开关，具有输出使能
• PZU6.2B - 采用SOD323F封装的单倍齐纳二极管
• BUK763R1-40B - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• BSS84AKS - 50 V，160 mA双P沟道Trench MOSFET
• TDZ3V3J - 单倍齐纳二极管
• 74HC4851BQ - 8通道模拟多路复用器/解复用器，具有注流效应控制功能
• PMEG2010EJ - 1 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管