74LVC1G10提供一个低功耗、低电压的单路3输入与非门。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）。
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• 74HCT14BQ - 十六进制反相施密特触发器
• PESDxL2BT series - 采用SOT23封装的低电容双向双ESD保护二极管
• BC69PAS - 20 V, 2 A PNP medium power transistors
• BZB984-C5V6 - 双倍稳压器二极管
• 74LVT(H)2245 - 3.3 V八进制收发器，具有30 Ohm端接电阻；3态
• PCT2075 - I2C总线Fm+，精度为1 ℃，数字温度传感器和温度监控器
• 74ALVC00 - 四路2输入与非门
• 74VHC(T)125 - 四路缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN1R2-25YLC - N沟道25 V 1.3 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• 74AUP2G79GN - 低功耗双频D型触发器；正沿触发器