74AUP1G11提供一个低功耗、低电压的单路3输入与门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PSMN012-80BS - N沟道80 V 11 m?标准电平MOSFET，采用D2PAK封装
• BZX585-C3V6 - 稳压器二极管
• PMEG3015EJ - 30 V、1.5 A超低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• IP4338CX24 - 10通道集成式滤波器网络，ESD输入保护符合IEC 61000-4-2第四级标准
• PSMN057-200P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• PMST5551 - NPN高压晶体管
• BUK9209-40B - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HC1GU04 - 反相器
• PCF2119DU - LCD控制器/驱动器
• PMEG6002TV - 0.2 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管