74HC373；74HCT373是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL针脚兼容。该类器件的规格符合JEDEC标准no. 7A。

74HC373；74HCT373是八进制D型透明锁存器，具有适用于每个锁存器的单独D型输入和适合总线应用的3态输出。锁存使能输入(LE)和输出使能输入(OE)为所有锁存器共用。

74HC373；74HCT373由八个带3态真正输出的D型透明锁存器组成。LE为高电平时，Dn输入处的数据会输入锁存器。在这种情况下，锁存器是穿透的，即每当与锁存输出对应的D输入发生变化时，锁存输出都会随之变化。

LE为低电平时，锁存器存储LE从高电平跃迁至低电平前的一个设置时间在D输入处出现的信息。OE为低电平时，8个锁存器的内容可在输出上获取。OE为高电平时，输出转为高阻抗关断状态。OE输入的操作不会影响锁存器的状态。

74HC373；74HCT373在功能上等同于：

74HC563；74HCT563：但输出反相且针脚排列不同 74HC573；74HCT573：但针脚排列不同

• 3态非反相输出，适合总线应用
• 公共3态输出使能输入
• 在功能上等同于74HC563；74HCT563和74HC573；74HCT573
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• NVT2003/04/06 - 适用于开漏和推挽应用的双向电压电平变换器
• PMEG6010ESB - 60 V, 1 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier
• BSR14 - NPN开关晶体管
• BSS84AKS - 50 V，160 mA双P沟道Trench MOSFET
• PBHV8540X - 500 V，0.5 A NPN高压低VCEsat (BISS)晶体管
• BZA968A - 四倍ESD瞬态电压抑制器
• BLF2425M8L(S)140 - 功率LDMOS晶体管
• PUMF11 - NPN配电阻晶体管；PNP通用晶体管
• 74HC(T)4016 - 四路双向开关
• BZT52H-B3V0 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管