74AUP2G32提供双路2输入或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BGU7007 - 用于GPS、GLONASS、Galileo和Compass的SiGe:C LNA MMIC
• HEF4557BT - 1至64位可变长度移位寄存器
• BLF574 - HF/VHF功率LDMOS晶体管
• PSMN4R8-100PSE - N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET，带改进的SOA，采用TO220封装
• 74AHC3G04GD - 反相器
• 74LVC257APW - 四路2输入多路复用器，带5 V容压输入/输出；3态
• BCX71J - PNP通用晶体管
• PMV33UPE - 20 V，单P沟道Trench MOSFET
• PSMN5R0-100PS - N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET，采用TO-220封装
• NX3008NBK - 30 V，400 mA N沟道Trench MOSFET