74AUP2G32提供双路2输入或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• BZX84-A6V8 - 稳压器二极管
• PMEG3015EV - 30 V、1.5 A超低VF MEGA肖特基势垒整流二极管，采用SOT666封装
• 74HCT32PW - 四路2输入或门
• BZB84-C5V6 - 双倍齐纳二极管
• NTAG203F - NFC Forum类型2标签兼容型IC，集成144字节用户存储器和现场检测
• 74AVC4T245 - 4位双电源转换收发器，带可配置电压转换功能；3态
• PDTC123JM - NPN配电阻晶体管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• 74AHCT00BQ - 四路2输入与非门
• PESD5V0S1ULD - 单向ESD保护二极管
• 1PS76SB21 - 采用小型封装的肖特基势垒二极管