74LVC1G04提供一个反相缓冲器。

输入可以从3.3 V或5 V器件驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

所有输入处施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围从-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C。

• BZX84-C3V3 - 稳压器二极管
• PSMN5R6-100PS - N沟道100 V 5.6 mΩ标准电平MOSFET，采用TO220封装
• PTVS54VS1UR - 400 W瞬态电压抑制器
• BAP50-03 - 通用PIN二极管
• 74AUP1G175GN - 带复位功能的低功耗D型触发器；正沿触发器
• PEMB13; PUMB13 - PNP/PNP配电阻晶体管；R1 = 4.7 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BLF6G15LS-40RN - 功率LDMOS晶体管
• 74AUP2G04GX - Low-power dual inverter
• BAS45A - 低漏电流二极管
• PBSS4032SPN - 30 V，5.7 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管