X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048均为灵敏的磁场传感器，具有薄膜坡莫合金的磁阻效应。这些传感器集成两个平行供电的惠斯通电桥，相互之间的相对角度为45°。

表面与芯片（x-y平面）平行的旋转磁场将产生两个独立的正弦输出信号，一个遵循cos(2α)函数，另一个遵循sin(2α)函数；α表示传感器和磁场方向之间的角度。

X3G-OH047、X3G-OH048、X3T-OH047和X3T-OH048适用于低磁场强度条件下的高精度角度测量应用（饱和磁场强度为25 kA/m）。

传感器的工作频率范围为直流至1 MHz。

数据手册中的所有产品型号均针对单芯片（单个传感器）有效。双芯片器件集成两个磁场传感器，其电磁参数表征的是单芯片的额定值，并且互相之间无关。

• 角度测量准确可靠
• 持久耐用，非接触式测量
• 永久无磨损
• 测量精度不受机械公差影响
• 宽温度范围

• 转向角和扭矩
• 大灯调节
• 电机位置
• 车窗雨刷
• 燃油液位
• 后视镜位置

• PMEG3020CEP - 2 A低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• SA615 - High performance low power mixer FM IF system
• 74HC191D - 可预置同步4位二进制上行/下行计数器
• 74LVC3G14GD - 三路反相施密特触发器，带5 V容压输入
• PEMH30 - NPN/NPN配电阻双晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路
• 74HCT154BQ - 4至16线路解码器/解复用器
• BZV49-C9V1 - 稳压器二极管
• PCF8531U - 34 x 128像素矩阵驱动器
• BLF6G10L-260PRN - 功率LDMOS晶体管
• BUK6246-75C - N沟道TrenchMOS中间电平FET