74AXP1G08是一种单通道2输入与门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.7 V至2.75 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用而设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
• 低输入电容；CI = 0.5 pF（典型值）
• 低输出电容；CO = 1.0 pF（典型值）
• 低动态功耗；CPD = 2.4 pF，VCC = 1.2 V（典型值）时
• 低静态功耗；ICC = 0.6 μA（85 °C最大 ）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12A.01（1.1 V至1.3 V）
  • JESD8-11A.01（1.4 V至1.6 V）
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A.01（2.3 V至2.7 V）
• ESD保护：
  • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达2.75 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围：?40 °C至+85 °C

• PESD12VS1UA - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
• PUMH1 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 22 kΩ
• BLS6G2731S-120 - LDMOS S波段雷达功率晶体管
• BLC9G27LS-150AV - LDMOS功率晶体管
• P5CD041U0 - 安全双接口和接触式PKI智能卡控制器
• BC860BW - PNP通用晶体管
• BUK765R0-100E - N沟道TrenchMOS标准电平FET
• 74AVC16244DGG - 16位缓冲器/线路驱动器；3态（3.6 V容压）
• PESDxS5UD series - 五倍ESD保护二极管阵列
• PMEG10020AELR - 100 V, 2 A low leakage current Schottky barrier rectifier