HEF4521B由一系列24反转触发器组成，具有一个覆盖异步主复位输入（MR）以及一个允许三种工作模式的输入电路。单反相级（A2至Y2）函数为：一个晶体振荡器、一个用于外部振荡器或结合A1作为RC振荡器的输入缓冲器。通过外部电阻向引脚VSS1和VDD1供电时，晶体振荡器在低功耗模式下工作。

每个触发器会对之前触发器进行二分频，因此HEF4521B可最大计数至224 = 16777216。在时钟(A2)从高到低转换时计数进位。最后七级(218至224)中每一级的输出都可实现更大的灵活性。

它在以VSS（通常接地）为基准的3 V至15 V VDD建议电源电压范围内工作。闲置的输入必须连接到VDD、VSS或另一个输入。

• 低功耗晶体振荡器操作
• 全静态操作
• 5 V、10 V和15 V参数等级
• 标准化对称输出特性
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C
• 符合JEDEC标准JESD 13-B

• 74HC1G66GV - 单刀单掷模拟开关
• 74LV4066 - 四路双向开关
• PHK18NQ03LT - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74HCT238DB - 3至8线路解码器/解复用器
• 74AHC1G00GV - 2输入与非门
• PSMN6R1-30YLD - N-channel 30 V, 6.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
• 74AHCT1G86GV - 2输入异或门
• 74LVC06AD - 六位元反相器，带开漏输出
• 74HCT2G02GM - 双路2输入或非门
• PCA9510AD - 可热插拔的I2C总线和SMBus总线缓冲器