74AUP2G86提供双路2输入异或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBSS5230PAP - 30 V，2 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BLF9G38LS-90P - Power LDMOS transistor
• 74AUP2G57GF - 低功耗双PCB可配置多功能门
• PESD3V3L1UA_UB_UL - 低电容单向ESD保护二极管
• PRH601HL - 多频率集成式读卡器解决方案
• 74LVC1G06 - 反相器，带开漏输出
• PSMN1R5-30BLE - N沟道30 V 1.5 m?逻辑电平MOSFET，采用D2PAK封装
• PBSS4230PANP - 30 V，2 A NPN/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• PBSS5320X - 20 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• MF1PLUS8031DUD - 适用于快速简单的解决方案开发的主流非接触式智能卡IC