
PSMN1R5-30BLE技术文档下载:
PSMN1R5-30BLE产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- P5010NXE1TNB - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MKL03Z8VFK4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- SA605DK/01,118 - 射频和无线 > 射频接收器
- LPC2387FBD100K - 嵌入式 - 微控制器
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- 74HCT646N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- S9KEAZN64AMLH - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S08SH4CPJ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- LPC55S69JBD100E - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- SFS2631HMDDYAD - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 电源管理 - 专用
- S9S08DN48F2VLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PMEG1020EJ,115 - 未分类 > 未分类
- MC9S12DG256BVPV - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PSMN1R5-30BLE - N沟道30 V 1.5 m?逻辑电平MOSFET,采用D2PAK封装
PSMN1R5-30BLE是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN1R5-30BLE是N沟道30 V 1.5 m?逻辑电平MOSFET,采用D2PAK封装,本站介绍了PSMN1R5-30BLE的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN1R5-30BLE相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN1R5-30BLE - N沟道30 V 1.5 m?逻辑电平MOSFET,采用D2PAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平N沟道MOSFET,采用D2PAK封装,额定工作温度为175 °C。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 增强型正向偏压安全工作区,可实现卓越的线性模式运行
- 极低Rdson,可实现低导通损耗
产品应用
- 电子保险丝
- 热插拔
- 负载开关
- 软启动
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