74AUP2G57是带施密特触发输入的双路可配置多功能门。该器件的每个门可配置为任何以下逻辑功能：AND、OR、NAND、NOR、 XNOR、反相器和缓冲器；使用3位输入。所有输入都可直接连接到VCC或GND。

该器件可确保0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10%
• IOFF电路提供局部掉电模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围：?40 °C至+85 °C和?40 °C至+125 °C

• MMBZ6V2AL - 低电容单向双ESD保护二极管
• PEMD48 - NPN/PNP配电阻晶体管；R1 = 47 kΩ，R2 = 47 kΩ和R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ
• PSMN7R5-30YLD - N沟道30 V，7.5 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• BZX585-C18 - 稳压器二极管
• BUK9518-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74LVC240ABQ - 八位元缓冲器/线路驱动器，带5 V容压输入/输出；反相；3态
• BZV55-B3V3 - 稳压器二极管
• 74AUP1G125GN - 低功耗缓冲器/线路驱动器；3态
• PMEG3005EH - 0.5 A极低VF MEGA肖特基势垒整流二极管
• BAT54L - 肖特基势垒二极管