
BLF9G38LS-90P技术文档下载:
BLF9G38LS-90P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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BLF9G38LS-90P - Power LDMOS transistor
BLF9G38LS-90P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF9G38LS-90P是Power LDMOS transistor,本站介绍了BLF9G38LS-90P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF9G38LS-90P相关的NXP元器件型号供参考。
BLF9G38LS-90P - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
90 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from3400 MHz to 3600 MHz.
产品特性和优势
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Low thermal resistance providing excellent thermal stability
- Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
- Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
- Internally matched for ease of use
- Integrated ESD protection
- Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC
产品应用
- RF power amplifier for LTE base stations and multi carrier applications in the3400 MHz to 3600 MHz frequency range
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