
BLF9G38LS-90P技术文档下载:
BLF9G38LS-90P产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- N74F259D,602 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 锁存器
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- PSMN7R6-60PS,127 - 未分类 > 未分类
- MC56F8323MFBE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S912ZVMAL1F0WLFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVC1G32GW,165 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- JN5148/001,515 - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- S912ZVML31F1MKFR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVT162244BDL,112 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- PCA9634BS,118 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > LED 驱动器
- PMBF4391,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > JFET
- PZU6.2B1,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- P87C52X2BBD,157 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



BLF9G38LS-90P - Power LDMOS transistor
BLF9G38LS-90P是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLF9G38LS-90P是Power LDMOS transistor,本站介绍了BLF9G38LS-90P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLF9G38LS-90P相关的NXP元器件型号供参考。
BLF9G38LS-90P - Power LDMOS transistor - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
90 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from3400 MHz to 3600 MHz.
产品特性和优势
- Excellent ruggedness
- High efficiency
- Low thermal resistance providing excellent thermal stability
- Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
- Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
- Internally matched for ease of use
- Integrated ESD protection
- Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC
产品应用
- RF power amplifier for LTE base stations and multi carrier applications in the3400 MHz to 3600 MHz frequency range
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