
PSMN5R0-100ES技术文档下载:
PSMN5R0-100ES产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- OL2311AHN/C0B,515 - 射频和无线 > 射频接收器
- 74LVC1G99GM,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器 - 多功能,可配置
- BUK107-50DL,115 - 集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
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- S9S12VR48AF0MLF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC859TVR133A - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- SPC5602BF2MLQ4 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
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- 74HC564D,653 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 触发器
- BF1109R,215 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- TDA8566Q/N2S,112 - 集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- KTY82/120/DG/B2,21 - 传感器,变送器 > 温度传感器 > PTC 热敏电阻
- P87C554SFAA,512 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器



PSMN5R0-100ES - N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装
PSMN5R0-100ES是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN5R0-100ES是N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装,本站介绍了PSMN5R0-100ES的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN5R0-100ES相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN5R0-100ES - N沟道100 V 5 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
标准电平N沟道MOSFET,采用I2PAK封装,额定工作温度为175 °C。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 低开关和导通损耗,因而效率高
- 坚固耐用的结构,适合要求苛刻的应用
- 标准电平栅极
产品应用
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 马达控制
- 服务器电源
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