74LVC126A由四个带3态输出的非反相缓冲器/线路驱动器组成，由输出使能输入(nOE)进行控制。nOE处的低电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。

• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5.5 V的电压
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74HCT02BQ - 四路2输入或非门
• SA636DK - 低压高性能混频器FM IF系统，具有高速RSSI
• 74ALVCH16825DGG - 18位缓冲器/驱动器（三态）
• PSMN059-150Y - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74LVC2GU04GS - 双路反相器
• SC28L202A1DGG - 双通道通用异步接收器/发送器(DUART)
• PSMN012-100YS - N沟道100 V 12m?标准电平MOSFET，采用LFPAK封装
• 74AUP2G241 - 低功耗双路缓冲器/线路驱动器；3态
• BC856 - PNP通用晶体管
• PSMN3R9-60PS - N沟道60 V，3.9 m?标准电平MOSFET，采用SOT78封装