74LVC126A由四个带3态输出的非反相缓冲器/线路驱动器组成，由输出使能输入(nOE)进行控制。nOE处的低电平使输出呈高阻抗关断状态。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。

• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5.5 V的电压
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PBSS304PD - 80 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• HEF4094B - 8级移位和存储寄存器
• BZB84-B56 - 双倍齐纳二极管
• BLA6H0912LS-1000 - LDMOS航空电子功率晶体管
• PESD3V3V4UW - 极低电容单向四倍ESD保护二极管阵列
• BZX384-C22 - 稳压器二极管
• CBTL02042A; CBTL02042B - 支持PCI Express Gen2的3.3 V、2差分通道、2 : 1多路复用器/解复用器开关
• PSMN9R5-30YLC - N沟道30 V 9.8 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
• 74ABT125PW - 四路缓冲器；3态
• BZB84-C5V1 - 双倍齐纳二极管