74LVC1G19是带公共输出使能的2选1解码器/解复用器。使能(E)输入信号为低电平时，该器件缓冲输入A上的数据并将其传输到输出1Y（真正）和2Y（补充）。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。这些特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用这些器件。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输入，可实现与5 V逻辑接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114E超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
• +-24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• NTB0101GS - 双电源转换收发器；自动方向感应；3态
• BC846BS - 65 V，100 mA NPN/NPN通用晶体管
• BAS70XY - 通用肖特基二极管
• 74HCT175PW - 四路D型触发器，带复位功能；正边沿触发
• NZX20B - 单倍齐纳二极管
• 74HCT4066PW - 四路单刀单掷模拟开关
• BZT52H-C47 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• BLF8G22LS-200(G)V - 功率LDMOS晶体管
• 74HC(T)366 - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• PBSS4620PA - 20 V、6 A NPN低V_CEsat (BISS)晶体管