逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<?1μA（25?°C时）
• 最适合4.5 V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• TJA1050T - 高速CAN收发器
• 74HCT4851D - 8通道模拟多路复用器/解复用器，具有注流效应控制功能
• BLF6G15L(S)-40RN - 功率LDMOS晶体管
• BLT50 - UHF功率晶体管
• PTVS26VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• BF545B - N沟道FET
• 74HCT2G66GD - 双路单刀单掷模拟开关
• PMEG4020EP - 2 A低Vf MEGA肖特基势垒整流二极管
• HEF4894BT - 12级移位和存储寄存器LED驱动器
• NX3DV3899HR - 双双刀双掷模拟开关