逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56封装。NextPowerS3产品组合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技术，提供高频率低峰值性能，通常只有集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET才具有这种性能，并且没有令人烦恼的高漏电流问题。NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效应用。

• 超低QG、QGD和QOSS，可实现系统高效率，尤其是在开关频率较高时
• 带软恢复功能的超快速开关性能；s-factor > 1
• 针对低EMI设计的低峰值和振铃
• 特有的“SchottkyPlus”技术；类肖特基性能：漏电流<?1μA（25?°C时）
• 最适合4.5 V栅极驱动
• 低寄生电感和电阻
• 高可靠性夹片粘合和芯片焊接Power SO8封装；无胶合、无焊线，额定工作温度为175?°C
• 波焊；外露引脚，可实现最佳焊点目测

• 适合服务器和电信的板载DC-DC解决方案
• 电信应用中的次级侧同步整流
• 电压调节器模块(VRM)
• 负载点(POL)模块
• 针对V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的功率输出
• 有刷与无刷马达控制

• PCA24S08A - 带有访问保护的1024 x 8位CMOS EEPROM
• 74LVC2G38 - 双路2输入与非门；开漏
• BC51-16PAS - 45 V/60 V/80 V, 1 A PNP medium power transistors
• P5DF081 - MIFARE安全访问模块SAM AV2 (RC52x)或AV2.6 (RC663)
• TFF1012HN - 适用于卫星LNB的集成式混频器振荡器PLL
• P5CD072EV0 - 安全三接口、双接口和接触式PKI智能卡控制器
• 74HC2GU04GV - 双频非缓冲逆变器
• PTN36241GHX - SuperSpeed USB 3.0 redriver
• PDTC124XMB - NPN配电阻晶体管；R1 = 22 kΩ，R2 = 47 kΩ
• BZV49-C16 - 稳压器二极管