PCA24S08A提供8192位串行电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，分为1024字，每个字有8位。通过串行I2C总线接收和发送数据字节。

通过I2C总线设置限制读写的存取权限，以防存储区被非法存取。

PCA24S08A是与标准24C08串行EEPROM器件的引脚兼容而设计的，除了作为其地址引脚的引脚1、2和3以外。PCA24S08A串行EEPROM数据表中的其他例外，在第6.6节中叙述。

按与24C08串行EEPROM一致的方式，从最高有效位开始将所有数位发送至器件或从器件读取。本文中的位字段相应地在左侧列为MSB而右侧列为LSB。

EEPROM存储器分为8个区，每个区1 kbit（128字节）。每个区内，存储器物理上组织为8页，每页128位（16字节）。除这些8 kbits外，还有两个用于储存存取保护和ID信息的128位页面。PCA24S08A中提供的EEPROM存储器共有8448位。

在区1至区7上以区为基础而在区0上以页面和区为基础组织存取保护（读取和写入）。这些区和页面的保护信息储存在EEPROM存储器的其中一个额外页面上，与主要数据存储阵列分开寻址。更多详情，请参阅第6.4节。

ID值位于EEPROM的ID页面，即另一个额外的16字节页面上。

根据总线主器件遵守的协议，从串行接口写入可一次包括1字节至16字节。所有页面访问必须正确对应内部EEPROM页面。

EEPROM存储器提供每字节100,000个写入周期的使用寿命，数据可保留10年。写入EEPROM需要不足5 ms即可完成。

制造后，所有EEPROM位均会设为值“1”。

• 组织为8块分别为128字节的8 kbits非易失性存储器
• I2C总线接口逻辑
• 兼容24C08串行EEPROM，以及不带RF接口的Atmel AT24RF08C的备用源
• 写入操作：
  • 字节写入模式
  • 16字节页面写入模式
• 读取操作：
  • 连续读取
  • 随机读取
• 可编程访问保护以限制读取和写入
• 锁定/解锁功能
• 写保护功能可防止对已满存储器阵列进行写入操作
• 自定时写入周期
• 内部上电复位
• 高可靠性：
  • 十年非易失性数据保留时间
  • 承受100,000个写入周期
• 低功率CMOS技术
• 2.5 V至3.6 V的工作电源电压范围
• 0 Hz至400 kHz时钟频率
• ESD保护：按JESD22-A114超过2000 V HBM，按JESD22-A115超过200 V MM，按JESD22-C101超过1000 V CDM
• 已按照JEDEC标准JESD78完成闭锁测试，超过100 mA
• 提供封装：SO8、TSSOP8

• BSP31; BSP32; BSP33 - PNP中等功率晶体管
• 74LVT2241PW - 3.3V八位元缓冲器/线路驱动器，具有30 Ohm串联端接电阻；3态
• HEF4066BT - 四路单刀单掷模拟开关
• BLF7G22LS-250P - 功率LDMOS晶体管
• PSMN4R0-40YS - N沟道LFPAK 40 V 4.2 m?标准电平MOSFET
• BUK9Y8R7-60E - N-channel 60 V, 8.7 mΩ logic level MOSFET in LFPAK56
• PCA9547PW - 带有复位的8通道I2C总线多路复用器
• PSMN3R0-30YLD - N沟道30 V，3.0 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装，使用NextPowerS3技术
• PBSS301PZ - 12 V、5.7 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• TDA7056AT - 具有直流音量控制的3 W单声道BTL音频放大器