74LVC2G38提供一个2输入与非功能。

74LVC2G38器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出，以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将这些器件用作转换器。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
• 5 V容压输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM EIA/JESD22-A114F超过2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 开漏输出
• 闭锁性能超过250 mA
• 具有TTL电平的直接接口
• 输入可接受高达5 V的电压
• 多种封装选择
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• PESD5V0L5UV - 低电容单向五倍ESD保护二极管阵列
• 74HC(T)366 - 六位元缓冲器/线路驱动器；3态；反相
• BGA7027 - 400 MHz至2700 MHz 0.5 W高线性度硅放大器
• BFU520 - NPN宽带硅RF晶体管
• 74HC7541PW - 八进制施密特触发缓冲器/线路驱动器；3态
• PBSS5360Z - 60 V、3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BCM856BS; BCM856BS/DG - PNP/PNP匹配双晶体管
• 74LV4094D - 8级移位和存储总线寄存器
• NX3L2267GM - 低电阻双单刀双掷模拟开关
• PESDxS2UT series - 采用SOT23封装的双ESD保护二极管