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PSMN1R5-30YLC - N沟道30 V 1.55m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术
PSMN1R5-30YLC是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品，PSMN1R5-30YLC是N沟道30 V 1.55m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术，本站介绍了PSMN1R5-30YLC的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PSMN1R5-30YLC相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN1R5-30YLC - N沟道30 V 1.55m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装，使用NextPower技术 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
逻辑电平增强型N沟道MOSFET，采用LFPAK封装。该产品设计适用于各种工业、通信及家用设备。
产品特性和优势
- 高可靠性Power SO8封装，额定温度为175°C
- 采用NextPower超结技术，最适合4.5V栅极驱动
- 超低QG、QGD和QOSS，高/低负载时可实现系统高效率
- 超低Rdson和低寄生电感
产品应用
- DC-DC转换器
- 锂电池保护
- 负载开关
- 电源OR-ing
- 服务器电源
- 同步整流器
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