74AUP1G32提供单路2输入或功能。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。

该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出，防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 闭锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• 输入可接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲，小于VCC的10 %
• IOFF电路提供局部关断模式操作
• 多种封装选择
• 额定温度范围为40 °C至+85 °C和40 °C至+125 °C

• PTVS17VS1UTR - 高温400 W瞬态电压抑制器
• BGU7003W - 宽带硅锗低噪声放大器MMIC
• 74CBTLV16211DGG - 24位总线开关
• PCA2000U - 带有可编程自适应电机脉冲的32 kHz表电路
• BLF574XRS - 功率LDMOS晶体管
• 74LVT16373ADL - 3.3V LVT 16位D型透明锁存器（3态）
• 74AXP1G57GS - 低功耗可配置多功能门
• 74LVC3G16GM - Triple buffer
• SC16C750BIB64 - 5 V、3.3 V和2.5 V的UART，带有64字节FIFO
• BLF647PS - 宽带功率LDMOS晶体管