
PSMN7R8-120ES技术文档下载:
PSMN7R8-120ES产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MCIMX280DVM4CR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PZU16B3A,115 - 分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 74HCT2G126GD,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MM912KS812AMAF - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 应用特定微控制器
- TDA8763AM/5/C4,112 - 集成电路(IC) > 数据采集 > 模数转换器(ADC)
- MC908GP32CFBER - 嵌入式 - 微控制器
- 88MW300-B0-NAPE/AZ - 射频和无线 > 射频收发器 IC
- SPC5605BK0VLQ6 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC33771ASP1AE - 集成电路(IC) > 专用 IC
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PSMN7R8-120ES - N沟道120 V 7.9 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装
PSMN7R8-120ES是NXP恩智浦公司的一款通用MOSFET产品,PSMN7R8-120ES是N沟道120 V 7.9 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装,本站介绍了PSMN7R8-120ES的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PSMN7R8-120ES相关的NXP元器件型号供参考。
PSMN7R8-120ES - N沟道120 V 7.9 mΩ标准电平MOSFET,采用I2PAK封装 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦
产品描述
标准电平N沟道MOSFET,采用I2PAK封装,额定工作温度为175 °C。该产品设计适用于各种工业、通信及家用电源设备。
产品特性和优势
- 低开关和导通损耗,因而效率高
- 更强的动态雪崩性能
- 适用于标准电平栅极驱动
- I2PAK封装,适合超薄适配器和高度受限的应用
产品应用
- AC-DC电源
- 同步整流
- 马达控制
- 超薄适配器和充电器
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