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PBSS302ND - 40 V、4 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管
PBSS302ND是NXP恩智浦公司的一款低压低VCEsat (BISS)晶体管产品，PBSS302ND是40 V、4 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管，本站介绍了PBSS302ND的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PBSS302ND相关的NXP元器件型号供参考。
PBSS302ND - 40 V、4 A NPN低VCEsat (BISS)晶体管 - 低压低VCEsat (BISS)晶体管 - 低VCEsat（BISS）晶体管 - 恩智浦
产品描述
NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管，采用SOT457 (SC-74)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。
PNP补充：PBSS302PD。
产品特性和优势
- 超低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 4 A连续集电极电流能力IC
- 峰值电流高达15 A
- 超低集电极-发射极饱和电阻
- 发热量更低、能效更高
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 电源管理功能
- 充电电路
- DC-DC转换
- MOSFET栅极驱动
- 电源开关（如电机、风扇）
- 薄膜晶体管(TFT)背光逆变器
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