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PESD5V0V1BB产品应用图解：
NXP恩智浦芯片：
- 74LVT273BQ,115 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 触发器
- MC9S08RD60DWE - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVTH16245BBQ,518 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- TEA6845H/V2,557 - 射频和无线 > 射频接收器
- MC9S08LL36CLK - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- S912XDQ256F1MAG - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MMA1606NKW - 传感器，变送器 > 运动传感器 > 加速计
- TDA8595TH/N2C,118 - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 音频放大器
- S32K322EHT0MPBST - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- SP5746BHK1AMMH6R - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- MKL17Z128VFM4R - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
- UJA1023T/2R04,518 - 集成电路（IC） > 接口 > 控制器
- MPC8377EVRALGA - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- LD6806F/16P,115 - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 稳压器 - 线性
- TEA19031AFT/1J - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > AC DC 转换器，离线开关
- 74LVCH32245AEC,551 - 集成电路（IC） > 逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
- PMBT3904YS,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- ON5240,118 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- P3041NSE1PNB - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微处理器
- DSP56F803BU80E - 集成电路（IC） > 嵌入式 > 微控制器
PESD5V0V1BB - 极低电容双向ESD保护二极管
PESD5V0V1BB是NXP恩智浦公司的一款低电容ESD保护设备产品，PESD5V0V1BB是极低电容双向ESD保护二极管，本站介绍了PESD5V0V1BB的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与PESD5V0V1BB相关的NXP元器件型号供参考。
PESD5V0V1BB - 极低电容双向ESD保护二极管 - 低电容ESD保护设备 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管采用小型表面贴装设备(SMD)塑料封装，保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。
产品特性和优势
- 单条线路的双向ESD保护
- 高达30 kV的ESD保护
- 极低二极管电容：Cd = 11 pF
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- 最大峰值脉冲功率：PPP = 45 W
- IEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 4.8 A
- 低钳位电压：VCL = 12.5 V
- 符合AEC-Q101标准
- 超低漏电流：IRM< 1 nA
产品应用
- 计算机和外设
- 通信系统
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
- 10/100 Mbit/s以太网
- 用户身份识别模块(SIM)卡保护
- FireWire
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- 74ABT20PW - 双路4输入与非门
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