NE57810TK可为双倍数据速率(DDR) SDRAM存储器总线端接提供电源。相比之前的解决方案，它极大地减少了器件数、电路板空间以及总系统成本。

NE57810TK DDR端接稳压器可将输出电压（DDR参考总线电压）保持在RAM电源电压的一半。它在该周期内可持续提供高达± 3.5 A的电流。NE57810TK具有过流限制功能，启动时不受浪涌电流影响。过温关断保护功能可为器件提供极端温度保护。

该器件的封装具有热稳定性，为散热设计提供了灵活性。NE57810TK是一款线性稳压器，因此无需外部电感或开关FET。该器件针对负载变化具有快速响应特性，可降低输出电容的要求。

• 快速瞬态响应时间
• 过温保护
• 过流保护
• 商用温度范围：0 °C至+70 °C
• 降低外部元器件要求（开关FET、电感、去耦电容）
• 内部驱动器将端接电压保持在存储器电源电压的一半
• 其他存储器和控制元件的基准电压输出
• 用于灵活应用中的可选外部基准电压输入
• 兼容DDR-I (VDD = 2.5 V)或DDR-II (VDD = 1.8 V) SDRAM系统

• 台式微机系统
• 工作站
• 服务器
• 游戏机
• 机顶盒
• 嵌入式系统

• PZU4.3BA - 单倍齐纳二极管
• 74HC3G07DP - 三路缓冲器，带开漏输出
• PTVS12VP1UP - 600 W瞬态电压抑制器
• BUK9635-55A - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
• 74LVCH16373ADGG - 16位D型透明锁存器，具有5 V容压输入/输出；3态
• PBLS1501V - 15 V PNP BISS负载开关
• 74AXP1G32 - 低功耗2输入或门
• BLF574XR - 功率LDMOS晶体管
• PEMH14; PUMH14 - NPN/NPN配电阻晶体管；R1 = 47 kOhm，R2 = 开路
• BGU8011 - 用于GPS、GLONASS、Galileo和Compass的SiGe:C低噪声放大器MMIC