NE57810TK可为双倍数据速率(DDR) SDRAM存储器总线端接提供电源。相比之前的解决方案，它极大地减少了器件数、电路板空间以及总系统成本。

NE57810TK DDR端接稳压器可将输出电压（DDR参考总线电压）保持在RAM电源电压的一半。它在该周期内可持续提供高达± 3.5 A的电流。NE57810TK具有过流限制功能，启动时不受浪涌电流影响。过温关断保护功能可为器件提供极端温度保护。

该器件的封装具有热稳定性，为散热设计提供了灵活性。NE57810TK是一款线性稳压器，因此无需外部电感或开关FET。该器件针对负载变化具有快速响应特性，可降低输出电容的要求。

• 快速瞬态响应时间
• 过温保护
• 过流保护
• 商用温度范围：0 °C至+70 °C
• 降低外部元器件要求（开关FET、电感、去耦电容）
• 内部驱动器将端接电压保持在存储器电源电压的一半
• 其他存储器和控制元件的基准电压输出
• 用于灵活应用中的可选外部基准电压输入
• 兼容DDR-I (VDD = 2.5 V)或DDR-II (VDD = 1.8 V) SDRAM系统

• 台式微机系统
• 工作站
• 服务器
• 游戏机
• 机顶盒
• 嵌入式系统

• 74HC273BQ - 带复位功能的八频D型触发器；正沿触发器
• PEMI4CSP-RW - 集成式4、6和8通道无源滤波器网络，带ESD保护
• BZT52H-B12 - 采用SOD123F封装的单倍齐纳二极管
• SSL5236BTE - 紧凑型高功率因素可调光LED驱动器
• 74AVC16835A - 18位寄存驱动器，具有Dynamic Controlled Outputs(TM)（3态）
• 74LVC3G04GS - 三路反相器
• BZX84J-C3V0 - 单倍齐纳二极管
• 74LVC2T45GM - 双电源转换收发器；3态
• NZX6V8C - 单倍齐纳二极管
• P5CD072EV4 - 安全三接口、双接口和接触式PKI智能卡控制器