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BLM8G0710S-45ABG产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- PMN40LN,135 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
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- GTL16612DL,512 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 通用总线功能
- S9S08DN32F2MLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74LVC07APW,118 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- S9S12GN32F1MTJ - 嵌入式 - 微控制器
- MC34931SEK - 电源管理IC - 电机驱动器,控制器
- MC56F8123VFBE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MC9S12C32MPBE16 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- 74HCT1G86GV,125 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- 74HC10N,652 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 门和反相器
- 74LVCH32244AEC/G:5 - 集成电路(IC) > 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器
- MSC8154SAG1000B - 集成电路(IC) > 嵌入式 > DSP(数字信号处理器)



BLM8G0710S-45ABG - LDMOS 2-stage power MMIC
BLM8G0710S-45ABG是NXP恩智浦公司的一款RF功率晶体管产品,BLM8G0710S-45ABG是LDMOS 2-stage power MMIC,本站介绍了BLM8G0710S-45ABG的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BLM8G0710S-45ABG相关的NXP元器件型号供参考。
BLM8G0710S-45ABG - LDMOS 2-stage power MMIC - RF功率晶体管 - RF MMIC放大器与混频器 - 恩智浦
产品描述
The BLM8G0710S-45AB(G) is a dual section, asymmetric, 2-stage power MMIC using NXP’sstate of the art GEN8 LDMOS technology. This multiband device is perfectly suited assmall cell final stage in Doherty configuration, or as general purpose driver in the 700MHz to 1000 MHz frequency range. Available in gull wing or straight lead outline.
产品特性和优势
- Designed for broadband operation (frequency 700 MHz to 1000 MHz)
- High section-to-section isolation enabling multiple combinations
- High Doherty efficiency thanks to 2 : 1 asymmetry
- Integrated temperature compensated bias
- Biasing of individual stages is externally accessible
- Integrated ESD protection
- Excellent thermal stability
- High power gain
- On-chip matching for ease of use
- Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances(RoHS)
产品应用
- RF power MMIC for W-CDMA base stations in the 700 MHz to 1000 MHz frequency range. Possiblecircuit topologies are the following:
- Asymmetric final stage in Doherty configuration
- Asymmetric driver for high power Doherty amplifier
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