74AUP2G79提供双路正沿触发D类触发器。在时钟脉冲（nCP）从低到高转换时，数据输入（nD）处的信息会被传输到nQ输出。在时钟从低到高转换前的某个建立时间，nD输入必须保持稳定，以进行可预测操作。

所有输入的施密特触发器动作使电路在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件可确保在0.8 V至3.6 V的整个VCC范围内具有极低的静态和动态功耗。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉电时电流回流对器件造成的损坏。

• 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 低静态功耗；ICC = 0.9 μA（最大值）
• 根据JESD78 II类，锁存性能超过100 mA
• 输入接受高达3.6 V的电压
• 低噪声过冲和欠冲<VCC的10 %
• IOFF电路提供部分掉电模式操作
• 多个封装选项
• 指定温度范围为40 ℃至+85 ℃和40 ℃至+125 ℃

• BF908R - N沟道双栅极MOSFET
• 74LVC1G53GD - 2通道模拟多路复用器/解复用器
• BZB84-B9V1 - 双倍齐纳二极管
• 74LVC2G32GF - 双路2输入或门
• BZB984-C5V1 - 双倍稳压器二极管
• 74ALVC16836 - 20位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能（3态）
• 74VHCT595PW - 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器，带输出锁存器
• PSMN3R3-80ES - N沟道80 V，3.3 m?标准电平MOSFET，采用I2PAK封装
• BCX19 - NPN通用晶体管
• BLF881 - 超高频LDMOS功率晶体管