
PESD12VS1UJ技术文档下载:
PESD12VS1UJ产品应用图解:

NXP恩智浦芯片:
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- MC9S08GT16CFDE - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- PIMC31,115 - 未分类 > 未分类
- BLM6G10-30G,135 - 射频和无线 > 射频放大器
- P3041NSE7PNC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
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- MC9S08DZ60ACLC - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BUK7C3R1-80EJ - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- S32M243CCABWKHSR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- MPC8547EHXATG - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- PUMD20,115 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,预偏置
- S9S08RN16W2MTJ - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BC517,112 - 分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
- MIMX9332DVVXMACR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微处理器
- MPC562MZP56R2 - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- S912XET512J3VALR - 集成电路(IC) > 嵌入式 > 微控制器
- BUK95150-55A,127 - 分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET



PESD12VS1UJ - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护
PESD12VS1UJ是NXP恩智浦公司的一款通用ESD保护产品,PESD12VS1UJ是用于瞬态电压抑制的单向ESD保护,本站介绍了PESD12VS1UJ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与PESD12VS1UJ相关的NXP元器件型号供参考。
PESD12VS1UJ - 用于瞬态电压抑制的单向ESD保护 - 通用ESD保护 - 通用ESD保护设备 - 恩智浦
产品描述
单向静电放电(ESD)保护二极管采用极小型表面贴装设备(SMD)塑料封装,保护单条信号线免受ESD和瞬态过压导致的损坏。
产品特性和优势
- 单条线路的瞬态电压抑制(TVS)保护
- 高达30 kV的ESD保护
- 最大峰值脉冲功率:PPP = 890 W
- IEC 61000-4-2四级(ESD)
- 低钳位电压:VCL = 19 V
- IEC 61000-4-5(浪涌);IPP = 47 A
- 低漏电流:IRM = 300 nA
- 符合AEC-Q101标准
产品应用
- 计算机和外设
- 通信系统
- 音频和视频设备
- 便携式电子设备
- 手机和附件
- 医疗和工业设备
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