74LVC16245A；74LVCH16245A是16位收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。该器件具有两个可实现轻松级联的输出使能(nOE)和两个可实现方向控制的发送/接收(nDIR)。nOE控制输出，因此总线可以得到有效隔离。该器件可用作两个8位收发器或一个16位收发器。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。禁用时，可以向输出施加高达5.5 V的电压。这些特性允许将这些器件用于混合3.3 V和5 V应用。

74LVCH16245A数据输入上的总线保持无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入。

• 5 V容压输入/输出，可实现与5 V逻辑的接合
• 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
• CMOS低功耗
• MULTIBYTE直通式标准针脚排列架构
• 多个低电感电源和接地针脚，可实现最低噪声和地弹
• 具有TTL电平的直接接口
• VCC = 0 V时的高阻抗
• 所有数据输入都具有总线保持（仅74LVCH16245A）
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7A（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5A（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-C/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-B超过200 V
  • CDM JESD22-C101E超过1000 V
• 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• 74AUP1G125GS - 低功耗缓冲器/线路驱动器；3态
• PSMN070-200P - N沟道TrenchMOS SiliconMAX标准电平FET
• 74HC4851BQ - 8通道模拟多路复用器/解复用器，具有注流效应控制功能
• 74AXP1G07GS - Low-power buffer with open-drain output
• PBSS305PZ - 80 V、4.5 A PNP低V_CEsat (BISS)晶体管
• BLF7G21L(S)-160P - LDMOS功率晶体管
• PESD15VS1UL - 单向ESD保护二极管
• 74AVCH16245DGG - 16位收发器，具有方向针脚；3.6 V容压；3态
• 74AVC16834ADGG - 18位寄存驱动器，具有倒相寄存器使能和Dynamic Controlled Outputs(TM)（3态）
• PSMN4R0-25YLC - N沟道25 V 4.5 m?逻辑电平MOSFET，采用LFPAK封装