74LVC1G27提供3输入“或非”函数。

输入可从3.3 V器件或5 V器件驱动。该特性允许在3.3 V和5 V混合电压应用中将这些器件用作转换器。

所有输入的施密特触发器动作使电路高度容许较缓慢的输入上升时间和下降时间。

该器件完全指定用于使用IOFF的部分掉电应用。IOFF电路可禁用输出，从而防止掉时电流回流对器件造成的损坏。

• 宽电源电压范围（1.65 V至5.5 V）
• 高抗噪性
• 符合JEDEC标准：
  • JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保护：
  • HBM JESD22-A114F超过2000 V
  • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • CDM JESD22-C101-C超过1000 V
• ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
• CMOS低功耗
• 锁存性能超过250 mA
• 直接与TTL电平接合
• 输入接受高达5 V的电压
• 指定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

• CBTL06DP211EE - DisplayPort Gen1 2 : 1多路复用器
• PBSS4032SP - 30 V，4.8 A PNP/PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BZX79-B15 - 稳压器二极管
• BLF6G15LS-40RN - 功率LDMOS晶体管
• PBSS5560PA - 60 V，5 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
• BZX884-C6V8 - 稳压器二极管
• PSMN3R4-30PL - N沟道30 V 3.4 m?逻辑电平MOSFET
• BZB84-C9V1 - 双倍齐纳二极管
• BZB784-C2V4 - 双倍稳压器二极管
• PSMN2R4-30MLD - N沟道30 V，2.4 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK33封装，使用NextPowerS3技术